Luminescenţa şi emisia undelor THz ale materialelor nanostructurate în baza compuşilor semiconductori

1. SITUAŢIA CURENTĂ ÎN STUDIEREA COMPUŞILOR SEMICONDUCTORI A3B5 CU APLICAŢI ÎN SPECTROSCOPIA THz, EMISIA DE ELECTRONI ÎN CÂMP, LUMINESCENŢA ŞI REZONANŢA PLASMONICĂ 

1.1. Generarea undelor terahertz de la suprafaţa semiconductorilor

1.2. Surse de terahertz în baza semiconductorilor A3B5

1.3. Rectificarea optică de la suprafaţă

1.4. Catodoluminescenţa în microscopul electronic cu baleiaj: aplicarea la structurile semiconductoare de dimensiuni mici

1.5. Semiconductoare A3B5 dopate cu pământuri rare: creşterea, proprietăţile şi fabricarea dispozitivelor elecroluminescente

1.6. Studiul rezonanţei plasmonice

1.7. Studiul emisiei cu efect de câmp  

2. METODE DE OBŢINERE ŞI CERCETARE A STRUCTURILOR POROASE PE BAZA SEMICONDUCTORILOR A3B5 

2.1. Fabricarea structurilor poroase prin metoda electrochimică

2.2. Iradierea structurilor semiconductoare poroase cu ioni de Kr+15 şi Xe+23

2.3. Doparea structurilor semiconductoare poroase cu metale de tranziţie şi pământuri rare

2.4. Caracterizarea materialelor prin metoda fotoluminescenţei

2.5. Catodoluminescenţa structurilor semiconductoare poroase

2.6. Caracterizarea materialelor prin emisia undelor terahertz

2.7. Metodica caracterizării punctelor metalice în prezenţa rezonanţei plazmonice de suprafaţ ă

2.8. Metodica caracterizării materialelor prin emisia de câmp  

3. LUMINESCENŢA STRUCTURILOR POROASE ALE COMPUŞILOR A3B5 ŞI ALE COMPOZITELOR LUMINOFORE PREPARATE ÎN BAZA LOR 

3.1. Spectroscopia catodoluminescenţei în nanostructuri de InP

3.2. Microanaliza catodoluminescenţei structurilor poroase GaP

3.3. Materiale nanocompozite în baza templatelor de GaP dopate cu Er3+ şi Eu3+ pentru aplicaţii optoelectronice

3.4. Materiale luminofore nanocompozite în baza templatelor de GaAs dopate cu Er3+ şi Eu3+

3.5. Caracterizarea catodoluminescenţei materialelor preparate în baza structurilor poroase de GaP dopate cu pământuri rare

3.6. Rezonanţa plasmonică de suprafaţă la nanoparticulele de Ag depuse în interiorul templatelor poroase de GaP  

PROPRIETĂŢILE NELINEARE ŞI EMISIA ELECTRONICĂ CU EFECT DE CÂMP ÎN COMPUŞII A3B5 POROŞI 

4.1. Tehnica de obţinere a membranelor poroase subţiri de InP

4.2. Studiul conductivităţii în membranele nanoporoase de InP şi a mobilităţii electronilor în aceste nanostructuri folosind spectroscopia terahertz

4.3. Efectul optic neliniar amplificat în membranele de InP (100)

4.4. Emisia terahertz în membrane de InP (111) poroase obţinute prin tratament electrochimic şi iradiere ulterioară cu ioni de gaze inerte (Kr, Xe) la energii mari

4.5. Emisia electronică cu efect de câmp în semiconductori cu bandă interzisă îngustă (InAs)  

CONCLUZII GENERALE ŞI RECOMANDĂRI