Luminescenţa şi emisia undelor THz ale materialelor nanostructurate în baza compuşilor semiconductori III-V (2011)

1. SITUAŢIA CURENTĂ ÎN STUDIEREA COMPUŞILOR SEMICONDUCTORI A3B5 CU APLICAŢI ÎN SPECTROSCOPIA THz, EMISIA DE ELECTRONI ÎN CÂMP, LUMINESCENŢA ŞI REZONANŢA PLASMONICĂ

• 1.1. Generarea undelor terahertz de la suprafaţa semiconductorilor
• 1.2. Surse de terahertz în baza semiconductorilor A3B5
• 1.3. Rectificarea optică de la suprafaţă
• 1.4. Catodoluminescenţa în microscopul electronic cu baleiaj: aplicarea la structurile semiconductoare de dimensiuni mici
• 1.5. Semiconductoare A3B5 dopate cu pământuri rare: creşterea, proprietăţile şi fabricarea dispozitivelor elecroluminescente
• 1.6. Studiul rezonanţei plasmonice
• 1.7. Studiul emisiei cu efect de câmp

2. METODE DE OBŢINERE ŞI CERCETARE A STRUCTURILOR POROASE PE BAZA SEMICONDUCTORILOR A3B5

• 2.1. Fabricarea structurilor poroase prin metoda electrochimică
• 2.2. Iradierea structurilor semiconductoare poroase cu ioni de Kr+15 şi Xe+23
• 2.3. Doparea structurilor semiconductoare poroase cu metale de tranziţie şi pământuri rare
• 2.4. Caracterizarea materialelor prin metoda fotoluminescenţei
• 2.5. Catodoluminescenţa structurilor semiconductoare poroase
• 2.6. Caracterizarea materialelor prin emisia undelor terahertz
• 2.7. Metodica caracterizării punctelor metalice în prezenţa rezonanţei plazmonice de suprafaţ ă
• 2.8. Metodica caracterizării materialelor prin emisia de câmp

3. LUMINESCENŢA STRUCTURILOR POROASE ALE COMPUŞILOR A3B5 ŞI ALE COMPOZITELOR LUMINOFORE PREPARATE ÎN BAZA LOR

• 3.1. Spectroscopia catodoluminescenţei în nanostructuri de InP
• 3.2. Microanaliza catodoluminescenţei structurilor poroase GaP
• 3.3. Materiale nanocompozite în baza templatelor de GaP dopate cu Er3+ şi Eu3+ pentru aplicaţii optoelectronice
• 3.4. Materiale luminofore nanocompozite în baza templatelor de GaAs dopate cu Er3+ şi Eu3+
• 3.5. Caracterizarea catodoluminescenţei materialelor preparate în baza structurilor poroase de GaP dopate cu pământuri rare
• 3.6. Rezonanţa plasmonică de suprafaţă la nanoparticulele de Ag depuse în interiorul templatelor poroase de GaP

PROPRIETĂŢILE NELINEARE ŞI EMISIA ELECTRONICĂ CU EFECT DE CÂMP ÎN COMPUŞII A3B5 POROŞI

• 4.1. Tehnica de obţinere a membranelor poroase subţiri de InP
• 4.2. Studiul conductivităţii în membranele nanoporoase de InP şi a mobilităţii electronilor în aceste nanostructuri folosind spectroscopia terahertz
• 4.3. Efectul optic neliniar amplificat în membranele de InP (100)
• 4.4. Emisia terahertz în membrane de InP (111) poroase obţinute prin tratament electrochimic şi iradiere ulterioară cu ioni de gaze inerte (Kr, Xe) la energii mari
• 4.5. Emisia electronică cu efect de câmp în semiconductori cu bandă interzisă îngustă (InAs)

CONCLUZII GENERALE ŞI RECOMANDĂRI